Renesas Electronics America - RJK60S7DPP-E0#T2

KEY Part #: K6396044

RJK60S7DPP-E0#T2 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [14476पीसी स्टक]

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  • 10 pcs$4.80539
  • 25 pcs$4.37827

भाग संख्या:
RJK60S7DPP-E0#T2
निर्माता:
Renesas Electronics America
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - DIACs, SIDACs, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ and Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RJK60S7DPP-E0#T2 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : RJK60S7DPP-E0#T2
निर्माता : Renesas Electronics America
वर्णन : MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Obsolete
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 30A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 125 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : -
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : +30V, -20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 2300pF @ 25V
FET फिचर : Super Junction
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 34.7W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220FP
प्याकेज / केस : TO-220-3 Full Pack

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