Toshiba Semiconductor and Storage - 2SA1680,T6ASTIF(J

KEY Part #: K6381956

[9822पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    2SA1680,T6ASTIF(J
    निर्माता:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    विस्तृत विवरण:
    TRANS PNP 2A 50V TO226-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs and डायोडहरू - जेनर - एर्रे ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1680,T6ASTIF(J electronic components. 2SA1680,T6ASTIF(J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SA1680,T6ASTIF(J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    2SA1680,T6ASTIF(J उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : 2SA1680,T6ASTIF(J
    निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
    वर्णन : TRANS PNP 2A 50V TO226-3
    श्रृंखला : -
    भाग स्थिति : Obsolete
    ट्रान्जिस्टर प्रकार : PNP
    वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 2A
    भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 50V
    Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी : 500mV @ 50mA, 1A
    वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : 1µA (ICBO)
    DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce : 120 @ 100mA, 2V
    पावर - अधिकतम : 900mW
    फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण : 100MHz
    अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
    प्याकेज / केस : TO-226-3, TO-92-3 Long Body
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-92MOD

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