HN4C51J(TE85L,F) मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [719727पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.05139
- भाग संख्या:
- HN4C51J(TE85L,F)
- निर्माता:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- विस्तृत विवरण:
- TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage HN4C51J(TE85L,F) electronic components. HN4C51J(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HN4C51J(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HN4C51J(TE85L,F) उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
HN4C51J(TE85L,F)
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
ट्रान्जिस्टर प्रकार :
2 NPN (Dual) Common Base
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) :
100mA
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) :
120V
Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी :
300mV @ 1mA, 10mA
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) :
100nA (ICBO)
DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce :
200 @ 2mA, 6V
पावर - अधिकतम :
300mW
फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण :
100MHz
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
SC-74A, SOT-753
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
SMV
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