भाग संख्या :
SI4906DY-T1-E3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC
FET प्रकार :
2 N-Channel (Dual)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
40V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
6.6A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
39 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
22nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
625pF @ 20V
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-SO