IXYS Integrated Circuits Division - IXDD609D2TR

KEY Part #: K1225400

IXDD609D2TR मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [137542पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.31552
  • 2,000 pcs$0.31395
  • 6,000 pcs$0.30232
  • 10,000 pcs$0.29069

भाग संख्या:
IXDD609D2TR
निर्माता:
IXYS Integrated Circuits Division
विस्तृत विवरण:
IC GATE DVR 9A NON-INV 8DFN. Gate Drivers 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: तर्क - गेट्स र इन्भर्टरहरू - बहु-प्रकार्य, विन्यास, PMIC - पावर व्यवस्थापन - विशेषज्ञता प्राप्त, ईन्टरफेस - प्रत्यक्ष डिजिटल संश्लेषण (डीडीएस), PMIC - भोल्टेज नियामकर्ताहरू - DC DC स्विचिंग कन्ट, मेमोरी, PMIC - पूर्ण, आधा-ब्रिज ड्राइभरहरू, तर्क - FIFOs मेमोरी and तर्क - मल्टिभाइब्रेटरहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXDD609D2TR उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IXDD609D2TR
निर्माता : IXYS Integrated Circuits Division
वर्णन : IC GATE DVR 9A NON-INV 8DFN
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
ड्राइभ कन्फिगरेसन : Low-Side
च्यानल प्रकार : Single
चालकहरूको संख्या : 1
गेट प्रकार : IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
भोल्टेज - आपूर्ति : 4.5V ~ 35V
तर्क भोल्टेज - VIL, VIH : 0.8V, 3V
वर्तमान - चुचुरो आउटपुट (स्रोत, सिंक) : 9A, 9A
इनपुट प्रकार : Non-Inverting
उच्च साइड भोल्टेज - अधिकतम (बुटस्ट्र्याप) : -
उठ्नुहोस् / पतन समय (प्रकार) : 22ns, 15ns
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 8-VDFN Exposed Pad
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-DFN-EP (5x4)

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    IC GATE DVR LO-SIDE DL 5A 8MSOP. Gate Drivers Dual,5A,Hi-Spd Low- Side Pwr MOSFET Drvr

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    Texas Instruments

    IC GATE DRVR LOW SIDE DL 8MSOP. Gate Drivers Dual,5A,Hi-Spd Lo- Side Pwr MOSFET Drvr

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