Renesas Electronics America Inc. - HIP2122FRTBZ-T

KEY Part #: K1221069

[13553पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    HIP2122FRTBZ-T
    निर्माता:
    Renesas Electronics America Inc.
    विस्तृत विवरण:
    IC HALF BRIDGE FET DRIVER 9TDFN.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: पीएमआईसी - ऊर्जा मिटरिंग, PMIC - ब्याट्री चार्जर, ईन्टरफेस - यूआर्ट्स (युनिभर्सल एसिन्क्रोनस रिसीभर , ईन्टरफेस - ड्राइभरहरू, रसिभरहरू, ट्रान्ससिभरहरू, PMIC - DMS रूपान्तरण गर्न RMS, PMIC - वा नियंत्रकहरू, आदर्श डायोडहरू, लिनियर - एम्पलीफायरहरू - अडियो and इन्टरफेस - सेन्सर र डिटेक्टर इन्टरफेस ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Renesas Electronics America Inc. HIP2122FRTBZ-T electronic components. HIP2122FRTBZ-T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HIP2122FRTBZ-T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HIP2122FRTBZ-T उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : HIP2122FRTBZ-T
    निर्माता : Renesas Electronics America Inc.
    वर्णन : IC HALF BRIDGE FET DRIVER 9TDFN
    श्रृंखला : -
    भाग स्थिति : Obsolete
    ड्राइभ कन्फिगरेसन : Half-Bridge
    च्यानल प्रकार : Independent
    चालकहरूको संख्या : 2
    गेट प्रकार : N-Channel MOSFET
    भोल्टेज - आपूर्ति : 8V ~ 14V
    तर्क भोल्टेज - VIL, VIH : 1.4V, 2.2V
    वर्तमान - चुचुरो आउटपुट (स्रोत, सिंक) : 2A, 2A
    इनपुट प्रकार : Inverting
    उच्च साइड भोल्टेज - अधिकतम (बुटस्ट्र्याप) : 114V
    उठ्नुहोस् / पतन समय (प्रकार) : 10ns, 10ns
    अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    प्याकेज / केस : 9-WDFN Exposed Pad
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 9-TDFN (4x4)
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