Diodes Incorporated - DMG6601LVT-7

KEY Part #: K6522296

DMG6601LVT-7 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [953326पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.03880
  • 3,000 pcs$0.03524

भाग संख्या:
DMG6601LVT-7
निर्माता:
Diodes Incorporated
विस्तृत विवरण:
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या and डायोडहरू - आरएफ ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG6601LVT-7 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : DMG6601LVT-7
निर्माता : Diodes Incorporated
वर्णन : MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N and P-Channel
FET फिचर : Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 3.8A, 2.5A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 55 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 12.3nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 422pF @ 15V
पावर - अधिकतम : 850mW
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TSOT-26

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