भाग संख्या :
SI7802DN-T1-GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
250V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
1.24A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
6V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
435 mOhm @ 1.95A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3.6V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
21nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1.5W (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PowerPAK® 1212-8
प्याकेज / केस :
PowerPAK® 1212-8