Infineon Technologies - IPAW60R180P7SXKSA1

KEY Part #: K6399473

IPAW60R180P7SXKSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [46297पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.81529
  • 10 pcs$0.73711
  • 100 pcs$0.59220
  • 500 pcs$0.46061
  • 1,000 pcs$0.38165

भाग संख्या:
IPAW60R180P7SXKSA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPAW60R180P7SXKSA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IPAW60R180P7SXKSA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
श्रृंखला : CoolMOS™ P7
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 18A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 180 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 280µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1081pF @ 400V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 26W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PG-TO220 Full Pack
प्याकेज / केस : TO-220-3 Full Pack

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