भाग संख्या :
PHT2NQ10T,135
वर्णन :
MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
2.5A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
430 mOhm @ 1.75A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
5.1nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
160pF @ 25V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
6.25W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-65°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
SOT-223
प्याकेज / केस :
TO-261-4, TO-261AA