Taiwan Semiconductor Corporation - GBU603HD2G

KEY Part #: K6538691

GBU603HD2G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [239798पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.15424

भाग संख्या:
GBU603HD2G
निर्माता:
Taiwan Semiconductor Corporation
विस्तृत विवरण:
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A GBU.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, Thyristors - TRIACs, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GBU603HD2G उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : GBU603HD2G
निर्माता : Taiwan Semiconductor Corporation
वर्णन : BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A GBU
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Single Phase
टेक्नोलोजी : Standard
भोल्टेज - पीक रिभर्स (अधिकतम) : 200V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 6A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.1V @ 6A
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 5µA @ 200V
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
प्याकेज / केस : 4-SIP, GBU
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : GBU

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