ON Semiconductor - NSVMUN2112T1G

KEY Part #: K6525606

NSVMUN2112T1G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1573639पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.02350
  • 12,000 pcs$0.01998

भाग संख्या:
NSVMUN2112T1G
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
TRANS PNP 50V BIPOLAR SC59-3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य and डायोडहरू - जेनर - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in ON Semiconductor NSVMUN2112T1G electronic components. NSVMUN2112T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSVMUN2112T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NSVMUN2112T1G उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : NSVMUN2112T1G
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : TRANS PNP 50V BIPOLAR SC59-3
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
ट्रान्जिस्टर प्रकार : PNP - Pre-Biased
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 100mA
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 50V
प्रतिरोधक - बेस (R1) : 22 kOhms
प्रतिरोधक - इमिटर बेस (R2) : 22 kOhms
DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce : 60 @ 5mA, 10V
Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी : 250mV @ 300µA, 10mA
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : 500nA
फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण : -
पावर - अधिकतम : 230mW
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SC-59-3

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