Vishay Semiconductor Diodes Division - VBT10200C-E3/8W

KEY Part #: K6471906

VBT10200C-E3/8W मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [172490पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.21443
  • 1,600 pcs$0.19522

भाग संख्या:
VBT10200C-E3/8W
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE SCHOTTKY 10A 200V TO-263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 10A 200V TrenchMOS
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VBT10200C-E3/8W उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : VBT10200C-E3/8W
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE SCHOTTKY 10A 200V TO-263AB
श्रृंखला : TMBS®
भाग स्थिति : Active
डायोड कन्फिगरेसन : 1 Pair Common Cathode
डायोड प्रकार : Schottky
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 200V
वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड) : 5A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.6V @ 5A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : -
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 150µA @ 200V
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -40°C ~ 150°C
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-263AB

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