Nexperia USA Inc. - PSMN1R4-40YLDX

KEY Part #: K6419550

PSMN1R4-40YLDX मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [118450पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.31226
  • 1,500 pcs$0.28061

भाग संख्या:
PSMN1R4-40YLDX
निर्माता:
Nexperia USA Inc.
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN1R4-40YLDX उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : PSMN1R4-40YLDX
निर्माता : Nexperia USA Inc.
वर्णन : MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 40V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 100A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 1.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.2V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 96nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 6661pF @ 20V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 238W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : LFPAK56, Power-SO8
प्याकेज / केस : SC-100, SOT-669

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