Infineon Technologies - IPC60R280E6X1SA1

KEY Part #: K6418581

IPC60R280E6X1SA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [68865पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.57062
  • 11,124 pcs$0.56778

भाग संख्या:
IPC60R280E6X1SA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH BARE DIE.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, Thyristors - SCRs and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPC60R280E6X1SA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IPC60R280E6X1SA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH BARE DIE
श्रृंखला : *
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : -
टेक्नोलोजी : -
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : -
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : -
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : -
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : -
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : -
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : -
Vgs (अधिकतम) : -
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : -
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : -
अपरेटिंग तापमान : -
माउन्टिंग प्रकार : -
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : -
प्याकेज / केस : -

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