Vishay Semiconductor Diodes Division - VBT3080S-M3/8W

KEY Part #: K6437006

VBT3080S-M3/8W मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [142583पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.27374
  • 2,400 pcs$0.27238

भाग संख्या:
VBT3080S-M3/8W
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE SCHOTTKY 30A 80V TO-263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A,80V,TRENCH SKY RECT.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू and Thyristors - SCRs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VBT3080S-M3/8W electronic components. VBT3080S-M3/8W can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VBT3080S-M3/8W, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VBT3080S-M3/8W उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : VBT3080S-M3/8W
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE SCHOTTKY 30A 80V TO-263AB
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Schottky
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 80V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 30A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 950mV @ 30A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : -
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 1µA @ 80V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-263AB
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 150°C

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