BYG10J-M3/TR मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [742232पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.05071
- 12,600 pcs$0.05046
- भाग संख्या:
- BYG10J-M3/TR
- निर्माता:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- विस्तृत विवरण:
- DIODE AVALANCHE 600V 1.5A. Rectifiers 1.5A,600V VGSC-STD Avalanche SMD
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य and ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG10J-M3/TR electronic components. BYG10J-M3/TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG10J-M3/TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYG10J-M3/TR उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
BYG10J-M3/TR
निर्माता :
Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन :
DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
श्रृंखला :
Automotive, AEC-Q101
भाग स्थिति :
Active
डायोड प्रकार :
Avalanche
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) :
600V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) :
1.5A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि :
1.15V @ 1.5A
गति :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) :
4µs
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr :
1µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F :
-
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
DO-214AC, SMA
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
DO-214AC (SMA)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन :
-55°C ~ 150°C
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
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VS-6EWL06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6A 600V 59ns Ultrafast
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SD103A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V SGL DO35. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40 Volt 15A IFSM
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BAV19-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120 Volt 625mA
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BAV17-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 20V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 25 Volt 625mA
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1N4454-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA DO204AH. Rectifiers Vr/100V Io/10mA
-
1N4454-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA DO204AH. Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/100V Io/10mA
तातो पार्ट्स
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08