Toshiba Semiconductor and Storage - TPW1R306PL,L1Q

KEY Part #: K6416465

TPW1R306PL,L1Q मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [66799पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.59163
  • 5,000 pcs$0.58868

भाग संख्या:
TPW1R306PL,L1Q
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction and Thyristors - SCRs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPW1R306PL,L1Q electronic components. TPW1R306PL,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPW1R306PL,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPW1R306PL,L1Q उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : TPW1R306PL,L1Q
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
श्रृंखला : U-MOSIX-H
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 260A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 1.29 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.5V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 91nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 8100pF @ 30V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 960mW (Ta), 170W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : 175°C
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-DSOP Advance
प्याकेज / केस : 8-PowerVDFN

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