भाग संख्या :
TPW1R306PL,L1Q
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
260A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
1.29 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.5V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
91nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
8100pF @ 30V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
960mW (Ta), 170W (Tc)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-DSOP Advance
प्याकेज / केस :
8-PowerVDFN