Infineon Technologies - IRF6892STRPBF

KEY Part #: K6419666

IRF6892STRPBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [123862पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.55881
  • 4,800 pcs$0.55603

भाग संख्या:
IRF6892STRPBF
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N CH 25V 28A S3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF6892STRPBF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IRF6892STRPBF
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N CH 25V 28A S3
श्रृंखला : HEXFET®
भाग स्थिति : Not For New Designs
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 25V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 28A (Ta), 125A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 1.7 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.1V @ 50µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 25nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : ±16V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 2510pF @ 13V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2.1W (Ta), 42W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DIRECTFET™ S3C
प्याकेज / केस : DirectFET™ Isometric S3C

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