Vishay Semiconductor Diodes Division - NSB8GTHE3_A/P

KEY Part #: K6439195

NSB8GTHE3_A/P मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [128710पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.28737
  • 1,000 pcs$0.26162

भाग संख्या:
NSB8GTHE3_A/P
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB. Rectifiers 8A 400V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NSB8GTHE3_A/P उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : NSB8GTHE3_A/P
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 400V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 8A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.1V @ 8A
गति : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : -
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 10µA @ 400V
Capacitance @ Vr, F : 55pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-263AB
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 150°C

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