Toshiba Semiconductor and Storage - 2SA1930(LBS2MATQ,M

KEY Part #: K6381931

[9830पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    2SA1930(LBS2MATQ,M
    निर्माता:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    विस्तृत विवरण:
    TRANS PNP 2A 180V TO220-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930(LBS2MATQ,M electronic components. 2SA1930(LBS2MATQ,M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SA1930(LBS2MATQ,M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    2SA1930(LBS2MATQ,M उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : 2SA1930(LBS2MATQ,M
    निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
    वर्णन : TRANS PNP 2A 180V TO220-3
    श्रृंखला : -
    भाग स्थिति : Obsolete
    ट्रान्जिस्टर प्रकार : PNP
    वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 2A
    भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 180V
    Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी : 1V @ 100mA, 1A
    वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : 5µA (ICBO)
    DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce : 100 @ 100mA, 5V
    पावर - अधिकतम : 2W
    फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण : 200MHz
    अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
    प्याकेज / केस : TO-220-3 Full Pack
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220NIS

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