Vishay Semiconductor Diodes Division - VI20120S-E3/4W

KEY Part #: K6427456

VI20120S-E3/4W मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [134373पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.27526
  • 1,000 pcs$0.25060

भाग संख्या:
VI20120S-E3/4W
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO262AA. Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 120 Volt
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - जेनर - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VI20120S-E3/4W उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : VI20120S-E3/4W
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO262AA
श्रृंखला : TMBS®
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Schottky
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 120V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 20A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.12V @ 20A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : -
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 300µA @ 120V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
प्याकेज / केस : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-262AA
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -40°C ~ 150°C

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