IXYS-RF - IXFN24N100F

KEY Part #: K6397999

IXFN24N100F मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2516पीसी स्टक]

  • 1 pcs$21.78900
  • 10 pcs$20.37454
  • 25 pcs$18.84371
  • 100 pcs$17.66600
  • 250 pcs$16.48825

भाग संख्या:
IXFN24N100F
निर्माता:
IXYS-RF
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य and पावर ड्राइभर मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in IXYS-RF IXFN24N100F electronic components. IXFN24N100F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN24N100F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN24N100F उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IXFN24N100F
निर्माता : IXYS-RF
वर्णन : MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B
श्रृंखला : HiPerRF™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 1000V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 24A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 390 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 5.5V @ 8mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 195nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 6600pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 600W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SOT-227B
प्याकेज / केस : SOT-227-4, miniBLOC

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