Infineon Technologies - IPB057N06NATMA1

KEY Part #: K6419604

IPB057N06NATMA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [120903पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.30593
  • 1,000 pcs$0.29366

भाग संख्या:
IPB057N06NATMA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 60V 17A TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Infineon Technologies IPB057N06NATMA1 electronic components. IPB057N06NATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB057N06NATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB057N06NATMA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IPB057N06NATMA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH 60V 17A TO263-3
श्रृंखला : OptiMOS™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 17A (Ta), 45A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 6V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 5.7 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.8V @ 36µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 27nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 2000pF @ 30V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 3W (Ta), 83W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : D²PAK (TO-263AB)
प्याकेज / केस : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ