भाग संख्या :
TK50P04M1(T6RSS-Q)
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
40V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
50A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
8.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.3V @ 500µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
38nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
2600pF @ 10V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
60W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
DP
प्याकेज / केस :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63