Infineon Technologies - IPA80R1K4P7XKSA1

KEY Part #: K6402297

IPA80R1K4P7XKSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [61527पीसी स्टक]

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  • 10 pcs$0.53224
  • 100 pcs$0.42073
  • 500 pcs$0.30865
  • 1,000 pcs$0.24367

भाग संख्या:
IPA80R1K4P7XKSA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 800V 4A TO220.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA80R1K4P7XKSA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IPA80R1K4P7XKSA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH 800V 4A TO220
श्रृंखला : CoolMOS™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 800V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 4A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 1.4 Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.5V @ 700µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 10nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 250pF @ 500V
FET फिचर : Super Junction
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 24W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220-3F
प्याकेज / केस : TO-220-3 Full Pack

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