निर्माता :
ON Semiconductor
वर्णन :
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220-2
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) :
600V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) :
10A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि :
1.3V @ 10A
गति :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) :
150ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr :
100µA @ 600V
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
-
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन :
150°C (Max)