भाग संख्या :
IPB03N03LB G
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
80A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
2.8 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2V @ 100µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
59nC @ 5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
7624pF @ 15V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
150W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
D²PAK (TO-263AB)
प्याकेज / केस :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB