भाग संख्या :
1N5230B_T50A
निर्माता :
ON Semiconductor
वर्णन :
DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
भोल्टेज - जेनर (नाम) (Vz) :
4.7V
प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt) :
19 Ohms
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr :
2µA @ 1V
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि :
1.2V @ 200mA
अपरेटिंग तापमान :
-65°C ~ 200°C
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
प्याकेज / केस :
DO-204AH, DO-35, Axial
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
DO-35