Diodes Incorporated - DDTC115GE-7-F

KEY Part #: K6527121

DDTC115GE-7-F मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [14058पीसी स्टक]

  • 3,000 pcs$0.02610

भाग संख्या:
DDTC115GE-7-F
निर्माता:
Diodes Incorporated
विस्तृत विवरण:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DDTC115GE-7-F उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : DDTC115GE-7-F
निर्माता : Diodes Incorporated
वर्णन : TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
ट्रान्जिस्टर प्रकार : NPN - Pre-Biased
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 100mA
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 50V
प्रतिरोधक - बेस (R1) : -
प्रतिरोधक - इमिटर बेस (R2) : 100 kOhms
DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce : 82 @ 5mA, 5V
Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी : 300mV @ 500µA, 10mA
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : 500nA (ICBO)
फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण : 250MHz
पावर - अधिकतम : 150mW
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : SOT-523
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SOT-523

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