Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-HFA04TB60SL-M3

KEY Part #: K6434535

VS-HFA04TB60SL-M3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [190362पीसी स्टक]

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भाग संख्या:
VS-HFA04TB60SL-M3
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 600V 4A D2PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600V 4A IF (TO-263AB) 25A IFSM
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, and डायोडहरू - जेनर - एर्रे ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-HFA04TB60SL-M3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : VS-HFA04TB60SL-M3
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 600V 4A D2PAK
श्रृंखला : HEXFRED®
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 600V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 4A (DC)
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 2.2V @ 8A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 42ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 3µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-263AB (D²PAK)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 150°C

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