1N4007GPE-E3/53 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [474173पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.07800
- 9,000 pcs$0.07069
- भाग संख्या:
- 1N4007GPE-E3/53
- निर्माता:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- विस्तृत विवरण:
- DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL. Rectifiers 1.0A 1000V Glass Passivated TrimLeads
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N4007GPE-E3/53 electronic components. 1N4007GPE-E3/53 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4007GPE-E3/53, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4007GPE-E3/53 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
1N4007GPE-E3/53
निर्माता :
Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन :
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
श्रृंखला :
SUPERECTIFIER®
भाग स्थिति :
Active
डायोड प्रकार :
Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) :
1000V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) :
1A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि :
1.1V @ 1A
गति :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) :
2µs
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr :
5µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F :
8pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
प्याकेज / केस :
DO-204AL, DO-41, Axial
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
DO-204AL (DO-41)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन :
-65°C ~ 175°C
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
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SS14-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC. Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 40 Volt
-
ES1D-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt
-
ES2B-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt
-
ES2FHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,300V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE
-
ES2FHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,300V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE
-
ES2CHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,100V,20ns SMB, UF Rect, SMD
तातो पार्ट्स
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18