भाग संख्या :
NX3008PBKMB,315
निर्माता :
Nexperia USA Inc.
वर्णन :
MOSFET P-CH 30V 300MA 3DFN
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
300mA (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
1.8V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
4.1 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1.1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
0.72nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
46pF @ 15V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
360mW (Ta), 2.7W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
DFN1006B-3