Microchip Technology - TP2640LG-G

KEY Part #: K6392746

TP2640LG-G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [64854पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.61768
  • 3,300 pcs$0.61461

भाग संख्या:
TP2640LG-G
निर्माता:
Microchip Technology
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CH 400V 0.086A 8SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TP2640LG-G उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : TP2640LG-G
निर्माता : Microchip Technology
वर्णन : MOSFET P-CH 400V 0.086A 8SOIC
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 400V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 86mA (Tj)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 2.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 15 Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : -
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 300pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 740mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-SOIC
प्याकेज / केस : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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