RQ3C150BCTB मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [223713पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.18278
- 3,000 pcs$0.18187
- भाग संख्या:
- RQ3C150BCTB
- निर्माता:
- Rohm Semiconductor
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Rohm Semiconductor RQ3C150BCTB electronic components. RQ3C150BCTB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RQ3C150BCTB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RQ3C150BCTB उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
RQ3C150BCTB
निर्माता :
Rohm Semiconductor
वर्णन :
MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
P-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
30A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
6.7 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1.2V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
60nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) :
±8V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
4800pF @ 10V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
20W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-HSMT (3.2x3)
प्याकेज / केस :
8-PowerVDFN
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- NTD4302T4
- 2SK221100L
- IRF6648TR1
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- IRL530STRL
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