GeneSiC Semiconductor - GA20JT12-263

KEY Part #: K6398278

GA20JT12-263 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2551पीसी स्टक]

  • 1 pcs$18.49030
  • 10 pcs$17.10226
  • 25 pcs$15.71569
  • 100 pcs$14.60627

भाग संख्या:
GA20JT12-263
निर्माता:
GeneSiC Semiconductor
विस्तृत विवरण:
TRANS SJT 1200V 45A.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA20JT12-263 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : GA20JT12-263
निर्माता : GeneSiC Semiconductor
वर्णन : TRANS SJT 1200V 45A
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : -
टेक्नोलोजी : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 1200V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 45A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : -
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 60 mOhm @ 20A
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : -
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : -
Vgs (अधिकतम) : -
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 3091pF @ 800V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 282W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : D2PAK (7-Lead)
प्याकेज / केस : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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