भाग संख्या :
SIS334DN-T1-GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
20A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
11.3 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
18nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
640pF @ 15V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
3.8W (Ta), 50W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PowerPAK® 1212-8
प्याकेज / केस :
PowerPAK® 1212-8