IXYS - IXFT70N20Q3

KEY Part #: K6397002

IXFT70N20Q3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [8005पीसी स्टक]

  • 1 pcs$5.91860
  • 10 pcs$5.32542
  • 100 pcs$4.37853
  • 500 pcs$3.66851

भाग संख्या:
IXFT70N20Q3
निर्माता:
IXYS
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 200V 70A TO-268.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT70N20Q3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IXFT70N20Q3
निर्माता : IXYS
वर्णन : MOSFET N-CH 200V 70A TO-268
श्रृंखला : HiPerFET™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 200V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 70A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 40 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 6.5V @ 4mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 67nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 3150pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 690W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-268
प्याकेज / केस : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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