Diodes Incorporated - DMN1045UFR4-7

KEY Part #: K6405385

DMN1045UFR4-7 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [809428पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.04570
  • 3,000 pcs$0.04150

भाग संख्या:
DMN1045UFR4-7
निर्माता:
Diodes Incorporated
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN1045UFR4-7 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : DMN1045UFR4-7
निर्माता : Diodes Incorporated
वर्णन : MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 12V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 3.2A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 1.5V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 45 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 4.8nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : ±8V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 375pF @ 10V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 500mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : X2-DFN1010-3
प्याकेज / केस : 3-XFDFN

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