Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-12EWH06FN-M3

KEY Part #: K6452693

VS-12EWH06FN-M3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [77933पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.49336
  • 10 pcs$0.43942
  • 25 pcs$0.41693
  • 100 pcs$0.32399
  • 250 pcs$0.30286
  • 500 pcs$0.26763
  • 1,000 pcs$0.21129
  • 2,500 pcs$0.19720
  • 5,000 pcs$0.18782

भाग संख्या:
VS-12EWH06FN-M3
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 600V 12A TO252. Rectifiers 12A 600V 18ns Hyperfast
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-12EWH06FN-M3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : VS-12EWH06FN-M3
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 600V 12A TO252
श्रृंखला : FRED Pt®
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 600V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 12A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 2.5V @ 12A
गति : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : -
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 10µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-252, (D-Pak)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -65°C ~ 175°C

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  • VS-12EWH06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 12A TO252. Rectifiers 12A 600V 18ns Hyperfast

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