Infineon Technologies - SIDC105D120H8X1SA1

KEY Part #: K6431142

SIDC105D120H8X1SA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [6845पीसी स्टक]

  • 1 pcs$6.01996

भाग संख्या:
SIDC105D120H8X1SA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 1.2KV 200A WAFER.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - जेनर - एकल and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIDC105D120H8X1SA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SIDC105D120H8X1SA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : DIODE GEN PURP 1.2KV 200A WAFER
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 1200V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 200A (DC)
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.41V @ 45A
गति : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : -
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 27µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : Die
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : Sawn on foil
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -40°C ~ 175°C

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