IXYS - IXFH80N10Q

KEY Part #: K6414991

IXFH80N10Q मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [12564पीसी स्टक]

  • 1 pcs$6.13454
  • 10 pcs$5.57485

भाग संख्या:
IXFH80N10Q
निर्माता:
IXYS
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 100V 80A TO-247AD.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH80N10Q उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IXFH80N10Q
निर्माता : IXYS
वर्णन : MOSFET N-CH 100V 80A TO-247AD
श्रृंखला : HiPerFET™
भाग स्थिति : Obsolete
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 80A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 15 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 4mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 180nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 4500pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 360W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-247AD (IXFH)
प्याकेज / केस : TO-247-3

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