भाग संख्या :
SIR108DP-T1-RE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
श्रृंखला :
TrenchFET® Gen IV
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
12.4A (Ta), 45A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
7.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
13.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3.6V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
41.5nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
2060pF @ 50V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
5W (Ta), 65.7W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PowerPAK® SO-8
प्याकेज / केस :
PowerPAK® SO-8