Vishay Siliconix - SIR108DP-T1-RE3

KEY Part #: K6396166

SIR108DP-T1-RE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [115715पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.31964

भाग संख्या:
SIR108DP-T1-RE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, Thyristors - TRIACs and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR108DP-T1-RE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SIR108DP-T1-RE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
श्रृंखला : TrenchFET® Gen IV
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 12.4A (Ta), 45A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 7.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 13.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.6V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 41.5nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 2060pF @ 50V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 5W (Ta), 65.7W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PowerPAK® SO-8
प्याकेज / केस : PowerPAK® SO-8

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