Infineon Technologies - IDW40G120C5BFKSA1

KEY Part #: K6473223

IDW40G120C5BFKSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2709पीसी स्टक]

  • 1 pcs$14.50129
  • 10 pcs$13.37408
  • 100 pcs$11.42048

भाग संख्या:
IDW40G120C5BFKSA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 1200V 55A TO247-3. Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल and डायोडहरू - जेनर - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDW40G120C5BFKSA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IDW40G120C5BFKSA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : DIODE GEN PURP 1200V 55A TO247-3
श्रृंखला : CoolSiC™
भाग स्थिति : Active
डायोड कन्फिगरेसन : 1 Pair Common Cathode
डायोड प्रकार : Silicon Carbide Schottky
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 1200V
वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड) : 55A (DC)
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.65V @ 20A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : -
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 166µA @ 1200V
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 175°C
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
प्याकेज / केस : TO-247-3
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PG-TO247-3

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