भाग संख्या :
SSM6K504NU,LF
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET N-CH 30V 9A UDFN6B
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
9A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
19.5 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.5V @ 100µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
4.8nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
620pF @ 15V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1.25W (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
6-UDFNB (2x2)
प्याकेज / केस :
6-WDFN Exposed Pad