Infineon Technologies - BSM75GB170DN2HOSA1

KEY Part #: K6533459

[826पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    BSM75GB170DN2HOSA1
    निर्माता:
    Infineon Technologies
    विस्तृत विवरण:
    IGBT 1700V 110A 625W MODULE.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - जेनर - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Infineon Technologies BSM75GB170DN2HOSA1 electronic components. BSM75GB170DN2HOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM75GB170DN2HOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSM75GB170DN2HOSA1 उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : BSM75GB170DN2HOSA1
    निर्माता : Infineon Technologies
    वर्णन : IGBT 1700V 110A 625W MODULE
    श्रृंखला : -
    भाग स्थिति : Obsolete
    IGBT प्रकार : -
    कन्फिगरेसन : Half Bridge
    भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 1700V
    वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 110A
    पावर - अधिकतम : 625W
    Vce (on) (अधिकतम) @ Vge, आईसी : 3.9V @ 15V, 75A
    वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : -
    इनपुट क्यापेसिटन्स (Cies) @ Vce : 11nF @ 25V
    इनपुट : Standard
    NTC थर्मिस्टर : No
    अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
    प्याकेज / केस : Module
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : Module

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