IXYS - IXFP4N85X

KEY Part #: K6396519

IXFP4N85X मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [33399पीसी स्टक]

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  • 10 pcs$1.21192
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  • 1,000 pcs$0.64387

भाग संख्या:
IXFP4N85X
निर्माता:
IXYS
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220AB.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू and डायोडहरू - जेनर - एर्रे ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFP4N85X उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IXFP4N85X
निर्माता : IXYS
वर्णन : MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220AB
श्रृंखला : HiPerFET™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 850V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 3.5A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 2.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 5.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 7nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 247pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 150W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220AB (IXFP)
प्याकेज / केस : TO-220-3

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