Diodes Incorporated - DDTB114GC-7-F

KEY Part #: K6526437

DDTB114GC-7-F मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1903162पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.01943
  • 3,000 pcs$0.01801

भाग संख्या:
DDTB114GC-7-F
निर्माता:
Diodes Incorporated
विस्तृत विवरण:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, Thyristors - TRIACs, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल and डायोडहरू - जेनर - एर्रे ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DDTB114GC-7-F उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : DDTB114GC-7-F
निर्माता : Diodes Incorporated
वर्णन : TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
ट्रान्जिस्टर प्रकार : PNP - Pre-Biased
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 500mA
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 50V
प्रतिरोधक - बेस (R1) : -
प्रतिरोधक - इमिटर बेस (R2) : 10 kOhms
DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce : 56 @ 5mA, 5V
Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी : 300mV @ 2.5mA, 50mA
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : 500nA (ICBO)
फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण : 200MHz
पावर - अधिकतम : 200mW
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SOT-23-3

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