GeneSiC Semiconductor - MBR20035CTR

KEY Part #: K6468494

MBR20035CTR मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1317पीसी स्टक]

  • 1 pcs$32.85075
  • 25 pcs$22.84681

भाग संख्या:
MBR20035CTR
निर्माता:
GeneSiC Semiconductor
विस्तृत विवरण:
DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 35V 200A Schottky Recovery
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - जेनर - एकल, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR20035CTR उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : MBR20035CTR
निर्माता : GeneSiC Semiconductor
वर्णन : DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड कन्फिगरेसन : 1 Pair Common Anode
डायोड प्रकार : Schottky
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 35V
वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड) : 200A (DC)
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 650mV @ 100A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : -
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 5mA @ 20V
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -
माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
प्याकेज / केस : Twin Tower
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : Twin Tower
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  • LQA10N150C

    Power Integrations

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    MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R.

  • BF1217WR,115

    NXP USA Inc.

    MOSFET N-CH DUAL SOT343R.

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