GeneSiC Semiconductor - MSRT100140(A)D

KEY Part #: K6468488

MSRT100140(A)D मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1746पीसी स्टक]

  • 1 pcs$24.78775
  • 25 pcs$18.39542

भाग संख्या:
MSRT100140(A)D
निर्माता:
GeneSiC Semiconductor
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN 1.4KV 100A 3 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 1400V 100A Forward
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, Thyristors - TRIACs, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू and Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MSRT100140(A)D electronic components. MSRT100140(A)D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MSRT100140(A)D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MSRT100140(A)D उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : MSRT100140(A)D
निर्माता : GeneSiC Semiconductor
वर्णन : DIODE GEN 1.4KV 100A 3 TOWER
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड कन्फिगरेसन : 1 Pair Series Connection
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 1400V
वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड) : 100A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.1V @ 100A
गति : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : -
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 10µA @ 1400V
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 150°C
माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
प्याकेज / केस : Three Tower
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : Three Tower
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  • LQA10N150C

    Power Integrations

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  • BF1212WR,115

    NXP USA Inc.

    MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R.

  • BF1217WR,115

    NXP USA Inc.

    MOSFET N-CH DUAL SOT343R.

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    JFET N-CH 25V 10MA SOT23.

  • MMBFJ211

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